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山川 浩二*; 前田 裕司
Scr. Metall. Mater., 32(7), p.967 - 970, 1995/00
加工したPd中の水素の移動エネルギーを50K近傍で電気抵抗の測定により調べた。以前にPd合金中の水素、重水素の50K近傍の活性化エネルギーを測定した結果、合金中の不純物濃度により水素、重水素の移動エネルギーは増加し、これは水素、重水素原子は不純物原子にトラップされていることがわかった。本論文は加工によって導入された転位と水素原子との相互作用を調べた。水素を注入後、100Kから4Kに急冷して、その後50K近傍の各温度で等温焼鈍で電気抵抗の測定から活性化エネルギーを求めた。結果は50K近傍では水素の移動エネルギーは加工によっては変わらないことがわかった。
山川 浩二*; 前田 裕司
Scr. Metall. Mater., 31(7), p.803 - 808, 1994/00
Pd中の水素、重水素は50Kで物理量に異常を示す。この50K異常は水素同位体のオーダリングによる現象であると知られている。これを利用して、Pd-Ni合金の水素、重水素の拡散を電気抵抗の測定により調べた。結果を以前に調べたPd-Fe、Pd-Ag合金中の水素、重水素の拡散と比較した。Pd-1.0at.%Ni、Pd-5at.%Ni合金のワイヤーを100Kからヘリウム温度に急冷した後、50K近傍で等温焼鈍を行い、電気抵抗の測定から水素、重水素の活性化エネルギーを求めた。結果はPd-Fe合金中の水素、重水素の活性化エネルギーとほぼ同じであり、重水素の活性化エネルギーは小さい。これらの結果から、水素、重水素はNi、Fe原子に強くトラップされ、Ag原子にはあまりトラップされないことがわかった。
星屋 泰二; 後藤 一郎; 近江 正男; 安藤 弘栄; 江南 和幸*; 山内 清*
Shape Memory Materials and Hydrides (Trans. of Materials Research Soc. Jpn., Vol. 18B), 0, p.1025 - 1028, 1994/00
TiPd系形状記憶合金は、Fe,Cr,Vなど第三元素を添加することによって、変態開始温度を800Kから室温まで任意に調整できることから、高温作動型の実用形状記憶合金として期待されている。本報告では、TiPd系形状記憶合金の変形挙動に及ぼす中性子照射効果を解明することを目的とした。JMTRにおいて、TiPd系合金の中性子照射実験後、照射後高温引張試験を実施した。その結果、TiPd-3Cr,TiPd-4Cr合金では、中性子照射によるMs温度及びAs温度変化は小さいこと、さらに、照射したTiNi合金の場合と同様の照射誘起擬弾性を呈することを見出した。また、照射後のヤング率に関する温度依存性から、TiPd系合金のマルテンサイト変態に及ぼす照射の影響は小さく、同合金特有の損傷回復の大きさと関連することを明らかにした。
前田 裕司; 山川 浩二*
Defect Diffus. Forum, 95-98, p.305 - 310, 1993/00
Pd中の水素の低温での挙動は50K異常として古くから知られている。電気抵抗、比熱がその温度で異常なふるまいを示す。それは水素原子の秩序、無秩序な配置の変化であると説明されているが定かではない。本報告はこの異常を更に詳しく調べるため、単結晶Pd中の水素の移動エネルギーを電気抵抗で測定した。試料は高圧水素ガス雰囲気中と電解チャージ法で水素を注入した。その試料を液体He温度に急冷して、その後の水素の挙動を主として50K温度近くで電気抵抗により測定して、調べた。その結果水素の移動エネルギーは50K近くの低温では小さい値を示した。これらについて議論し、報告する。
田次 邑吉
Journal of the Physical Society of Japan, 48(4), p.1237 - 1244, 1980/00
被引用回数：7 パーセンタイル：55.57(Physics, Multidisciplinary)放射線照射によって材料中に生じた空孔が安定に存在し得る理由を明らかにする事は、損傷の計算機シミュレーションの基本の一つであるが、また充分解明されていない。ここでは、ダイヤモンド晶系のSiやGeにおける空孔の形成が古典的な多体問題としてシミュレーションにより研究される。原子間相互作用として、原子間距離のみに依存する中心力ばかりでなく、ボンドの曲りにも依存する非中心力も扱う。完全結晶の中央部より1原子を除去し、その周囲の原子を緩和させる時、中心力相互作用のみでは結晶の表面を固定しても安定した空孔は得られない。非中心力相互作用の場合は、結晶表面を自由にしておいても、安定した空孔が形成され、形成エネルギーも相互作用に固有になる。これは、空孔の周辺に「硬い殻」がつくられるためである。SiとGeに対して、1空孔の形成,移動エネルギー,2空孔の形成エネルギーが示される。
